功能描述:MOSFET 30V 11.7A 3.6W
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
SI4730EY-T1-E3
Si4731-A10-GM
SI4731-A10-GMR
Si4731-B20-GM
SI4731-B20-GMR
SI4731-B-EVB
Si4731-C40-GM
SI4731-C40-GMR
SI4731-C40-GU
SI4731-C40-GUR
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